技術(shù)參數(shù)：

• Ic(A),Tc=80℃        600

• Vce(sat),Max(V)        2.45

• Ton(us)               0.33

• Toff(us)               1.0

• Rth(j-c),K/W        0.004

• Pc(W)               3120

• 封裝                  62mm

• 電路結(jié)構(gòu)               一單元

性能概要：

• 低開關(guān)損耗

• 無可比擬的耐用性

• V（CESAT）具有正溫度系數(shù)

• 低V（CESAT）

• CTI>400

• 高爬電距離和電氣間隙

優(yōu)點(diǎn)：

• 靈活性

• ***佳的電氣性能

• ***高的可靠性

目標(biāo)應(yīng)用：

• 電機(jī)控制和驅(qū)動

• 風(fēng)能系統(tǒng)解決方案

高能效組件和子系統(tǒng)的系統(tǒng)的高可靠性

• 太陽能系統(tǒng)解決方案

對于完整的太陽能電力解決方案的主導(dǎo)產(chǎn)品

• 牽引