新的工藝技術現已應用于研發和量產。通過這兩項最新技術，科銳能夠提供包括全套和專用掩模組在內的多項代工服務以促進定制電路的快速發展。G40V4 工藝可在28V 和40V 兩種工作電壓、18GHz 以下的場效應晶體管（FET）外緣的射頻功率密度 6W/mm的環境下進行。G50V3 工藝可在工作電壓為50V、6GHz 以下的場效應晶體管（FET）外緣的無線射頻功率密度8W/mm的環境下進行。兩項工藝技術全部基于科銳先前發布的 G28V3 工藝技術。自2006年應用于生產以來，0.4微米、工作電壓為28V 的 G28V3 工藝技術是業內現場故障率最低的微波技術之一（每10億小時中有9個故障器件）。

　　科銳估計，如果在典型三部式多波段 LTE/4G 通訊遠程無線電頭端（RRH）的安裝中以 GaN 替代傳統晶體管技術，可減少高達 20% 的 RRH 功耗，從而降低運營成本和能耗。除此之外，新工藝還能夠降低初始系統成本。GaN工藝的高電壓和高效率能夠幫助縮小散熱器和外殼尺寸、降低無線射頻放大器的設計復雜性以及減少交流至直流和直流至直流轉換器的成本。此外，現在空氣就可替代以前所需的大型風扇實現系統冷卻。所有這些改進可節約高達10%的材料成本，大幅降低系統購置成本。

　　軍用雷達系統也可獲得同樣的優勢。科銳GaN工藝的高效率能夠在減少工作功耗的同時減少維修費用，因此能夠顯著優化系統壽命周期成本。G40V4 和 G50V3 工藝的工作（通道）結溫為225？C，平均壽命超過兩百萬小時（228年），其卓越的可靠性能夠顯著降低雷達系統在工作壽命內的維修和維護成本。

　　科銳無線射頻（RF）及微波部門總監 Jim Milligan表示："我們的客戶需要可靠且更高頻率的工藝用于開發 GaN 的優勢并應用于包括衛星通信、雷達和電子戰市場在內的高于6GHz 的領域，我們相信全新的 G40V4 工藝能夠很好地滿足客戶的需求。同時，針對客戶對低成本 GaN 解決方案的需求，科銳新推出了工作電壓為50V的G50V3工藝，能夠實現優異的無線射頻輸出功率性價比，旨在加速 GaN 在通訊基礎設施等對成本極其敏感的市場領域中的普及， GaN 現在能夠在這些領域中提供硅 LDMOS 無法比擬的性能優勢。"