網訊 LED芯片走過前幾年產能過剩引起的低迷期后，隨著下游LED照明市場需求的起量，開始復蘇。過去的2014年上半年，LED照明產業(yè)由于下游應用市場需求的快速增長，給整個上游帶來了供不應求的短期利好。去年到今年上半芯片市場的供不應求導致多家芯片企業(yè)開始了新一輪的擴產。

企業(yè)的研發(fā)能力得到很大的提升，尤其是市場需求放量在今年上半年讓很多企業(yè)重拾信心，但價格和產能壓力依然存在。尤其是上游在市場拐點所面臨的擴產與不擴產的僵持狀態(tài)，促使行業(yè)整合趨勢愈發(fā)明顯。但是所謂的“瘦死的駱駝比馬大”，更何況如今的國外巨頭在LED芯片逐步國產化的初始階段，已經扎根在中國市場，作為國產LED芯片企業(yè)要想跟外國大咖分市場，我們更應該知道自己的不足在哪？

　　一直以來，都說國產的芯片與國外的芯片差距很大，究竟為什么國產的企業(yè)很多用的都是國外的設備，在工藝上沒有國外那么先進，那差別究竟有多大？企業(yè)是否自知？又有怎樣的解決方法，從今年的世界杯，小編我在想國產LED芯片的究竟只能在LED行業(yè)踢“中超”，還是能走出國門踢“世界杯”呢？

    昨天上午在OFweek半導體照明網上看到一則關于LED芯片企業(yè)上海藍光的報道。從這篇報道上，讓小編我對于目前上游芯片市場的火熱感到些擔憂，中國的芯片市場是怎樣的？未來又應該怎么呢？小編我為了更深入了解國內外的芯片企業(yè)差距在哪？如何應對....等問題，淺析了下目前在技術層次的差異。

　　技術差異之襯底

　　目前國內外有很多LED芯片廠家，但國內外技術對比方面，國外芯片技術新，國內芯片重產量不重技術。

　　據了解，目前LED芯片技術的發(fā)展關鍵在于襯底材料和晶圓生長技術。除了傳統的藍寶石、硅(Si)、碳化硅(SiC)襯底材料以外，氧化鋅(ZnO)和氮化鎵(GaN)等也是當前LED芯片研究的焦點。雖然市面上大多都是采用藍寶石或碳化硅襯底來外延生長寬帶隙半導體氮化鎵，但是這兩種材料價格非常昂貴，且都被國外大企業(yè)所壟斷，而硅襯底不僅具有價格優(yōu)勢，也可制作出尺寸更大的襯底，提高MOCVD的利用率，從而提高管芯產率。所以，為突破國際專*壁壘，中國LED企業(yè)更多開始著手硅襯底材料的研究。但問題是，硅與氮化鎵的高質量結合是LED芯片的技術難點，兩者的晶格常數和熱膨脹系數的巨大失配而引起的缺陷密度高和裂紋等技術問題長期以來阻礙著芯片領域的發(fā)展。