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核心提示：三種緩存對(duì)工業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤的重要性

固態(tài)硬盤的緩存主要分為DRAM Buffer 、SLC Cache、Host Memory Buffer。這三種緩存，有何區(qū)別？本文將帶你深入了解三種緩存對(duì)工業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤的重要性。

DRAM Buffer

DRAM緩存是一種基于動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）的緩存技術(shù)。它使用固態(tài)硬盤外置的DRAM作為緩存區(qū)域。

優(yōu)點(diǎn)

顯著提高固態(tài)硬盤的隨機(jī)讀寫速度和響應(yīng)性能，提升SSD寫入穩(wěn)定性。

不帶DRAM全盤寫入曲線圖

不帶DRAM緩存全盤寫入曲線圖.jpg

帶DRAM全盤寫入曲線圖

畫板 1.png

帶DRAM緩存可以讓SSD在TLC Mode寫入數(shù)據(jù)時(shí)平穩(wěn)。

什么是順序讀寫、隨機(jī)讀寫、IOPS 、4K讀寫？

畫板 1 拷貝.png

SLC Cache

SLC緩存是一種基于單層單元存儲(chǔ)器（SLC）的緩存技術(shù)。在TLC或QLC的閃存芯片(NAND Flash IC)中，劃分一部分固態(tài)硬盤的存儲(chǔ)空間來(lái)模擬SLC的寫入方式。

優(yōu)點(diǎn)

短期內(nèi)提升SSD的爆發(fā)寫入能力。

SSD寫入數(shù)據(jù)經(jīng)歷高速SLC寫入、后SLC寫入、TLC寫入3個(gè)階段。其中，前2個(gè)階段是通過固件的FW來(lái)實(shí)現(xiàn)的；TLC階段寫入速度取決于使用FLash IC的好壞。

Host Memory Buffer

HMB技術(shù)是一種基于主機(jī)內(nèi)存的緩存技術(shù)。它利用主機(jī)內(nèi)存的一部分作為固態(tài)硬盤的緩存區(qū)域，通常最大為64MB。

優(yōu)點(diǎn)

相比于DRAM Buffer，成本較低，但同時(shí)也可以提供相對(duì)較大的緩存容量。

總結(jié)

固件技術(shù)對(duì)工業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤性能和使用壽命的起到重要影響，威剛工控可提供DRAM Buffer與SLC Cache軟硬整合的緩存解決方案，提升產(chǎn)品的穩(wěn)定性和耐用度。

一般一些入門級(jí)產(chǎn)品或者低速產(chǎn)品會(huì)設(shè)計(jì)成沒有緩存，威剛針對(duì)數(shù)據(jù)交換量大的應(yīng)用場(chǎng)景提供DRAM Buffer，SLC Cache，Host Memory Buffer等多種緩存技術(shù)和掉電保護(hù)DVT電路設(shè)計(jì)以提高產(chǎn)品的讀寫效率和穩(wěn)定性。

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