電力設(shè)備板塊受益于1-7月電網(wǎng)投資特別是特高壓投資的高速增長(zhǎng),在最近持續(xù)跑贏大盤。在全年目標(biāo)沒有變化的情況下,下半年投資增速放緩是既定的事實(shí),但是在結(jié)構(gòu)上將流向上半年低于預(yù)期的配網(wǎng)。另外,風(fēng)電行業(yè)拐點(diǎn)來臨,低壓電器行業(yè)受益地產(chǎn)復(fù)蘇和原材料下跌,同樣值得關(guān)注。

明年或迎來配網(wǎng)投資高峰。今年1-7月,電網(wǎng)投資同比增長(zhǎng)17%,達(dá)1947元,如此高的增速主要得益于上半年特高壓的集中交貨。我們認(rèn)為,下半年超過兩位數(shù)的高速增長(zhǎng)不可能維持,投資結(jié)構(gòu)也將維持。但是,我們預(yù)期明年配網(wǎng)投資將迎來高峰,投資占比將大幅上升,利好配網(wǎng)設(shè)備企業(yè)。

配網(wǎng)自動(dòng)化建設(shè)將迎來高峰。國(guó)務(wù)院常務(wù)會(huì)將加快配電網(wǎng)和智能電網(wǎng)建設(shè)定為今后工作的重點(diǎn),過去幾年經(jīng)過配網(wǎng)自動(dòng)化試點(diǎn)、示范工程,配網(wǎng)自動(dòng)化的技術(shù)方案逐步成熟,有在全國(guó)范圍內(nèi)加快推廣的可能,未來配電自動(dòng)化投資有望繼續(xù)快速增長(zhǎng)。國(guó)網(wǎng)規(guī)劃到2015年之前,其配網(wǎng)自動(dòng)化投資就將達(dá)400億,而過去每年的投資僅20-30億,市場(chǎng)具備成倍增長(zhǎng)的想象空間。

風(fēng)電行業(yè)迎來轉(zhuǎn)折點(diǎn)。我國(guó)風(fēng)電行業(yè)在過去幾年經(jīng)歷了“大躍進(jìn)”式的發(fā)展,造成了并網(wǎng)難、事故頻發(fā)等后果,行業(yè)在11和12年步入了低谷。但是12年底和13年出現(xiàn)的幾個(gè)跡象讓我們判斷風(fēng)電行業(yè)已經(jīng)觸底,包括吊裝量企穩(wěn)、招標(biāo)量翻倍、消納好轉(zhuǎn)、風(fēng)機(jī)價(jià)格回升等。行業(yè)未來幾年將迎來穩(wěn)健成長(zhǎng)。

低壓電器行業(yè)受益房地產(chǎn)復(fù)蘇和金屬下跌。房地產(chǎn)行業(yè)的開工面積在13年上半年重回正增長(zhǎng),竣工面積也維持了穩(wěn)定的增速,利好低壓電器行業(yè)需求。

1-8月主要原材料銅價(jià)和銀價(jià)大幅下跌,美國(guó)退出QE的預(yù)期將持續(xù)壓低原材料價(jià)格,預(yù)計(jì)下半年價(jià)格仍然疲弱,利好低壓電器行業(yè)的毛利率。

我國(guó)政府已經(jīng)制定了在十二五期間高壓開關(guān)行業(yè)的發(fā)展規(guī)劃，其中重點(diǎn)提到了加強(qiáng)開關(guān)智能化的研制工作，其技術(shù)發(fā)展也與電器元件的智能化惜惜相關(guān)。

“十二五”時(shí)期，我國(guó)高壓開關(guān)行業(yè)應(yīng)以堅(jiān)強(qiáng)智能電網(wǎng)全面建設(shè)為契機(jī)，以特高壓交、直流輸電工程為依托，增強(qiáng)自主創(chuàng)新能力，大力提升開關(guān)設(shè)備智能化水平，推進(jìn)環(huán)保、節(jié)能、減排設(shè)備;應(yīng)以特高壓輸電技術(shù)和先進(jìn)電氣設(shè)備及集成技術(shù)為重點(diǎn)發(fā)展領(lǐng)域，深入開展1000kV特高壓輸電及關(guān)鍵設(shè)備、核心技術(shù)研究，加速交、直流高壓設(shè)備的完全國(guó)產(chǎn)化;并通過對(duì)先進(jìn)電氣設(shè)備及集成技術(shù)的前期研究，力求在超導(dǎo)電力裝備關(guān)鍵技術(shù)有重點(diǎn)突破;努力促進(jìn)產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)優(yōu)化、升級(jí)，進(jìn)一步提升行業(yè)整體技術(shù)水平和國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力，努力實(shí)現(xiàn)高壓開關(guān)行業(yè)由大到強(qiáng)的轉(zhuǎn)變。
目前，電氣產(chǎn)品的更新?lián)Q代非常頻繁，往往在短時(shí)間內(nèi)，就可以淘汰很多舊式的產(chǎn)品系列。在電器元件智能化的同時(shí)，高壓開關(guān)也不斷向智能化方向推進(jìn)。目前在國(guó)際上處于領(lǐng)先地位的高壓開關(guān)柜產(chǎn)品具有脫扣回路斷線監(jiān)測(cè)、動(dòng)作時(shí)間檢測(cè)、接觸部件檢測(cè)、彈簧的儲(chǔ)能時(shí)間檢測(cè)等功能，綜合這些功能就構(gòu)成了智能化高壓開關(guān)。

“十二五”期間，高壓開關(guān)行業(yè)大型骨干企業(yè)，進(jìn)一步深入開展特高壓開關(guān)設(shè)備核心技術(shù)與關(guān)鍵部件的技術(shù)研究，實(shí)現(xiàn)特高壓裝備立足國(guó)內(nèi)、自主研發(fā)、全面實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化的目標(biāo)。結(jié)合智能電網(wǎng)、數(shù)字變電站、配網(wǎng)自動(dòng)化等的建設(shè)，大力推進(jìn)開關(guān)設(shè)備智能化。由于開關(guān)設(shè)備智能化技術(shù)尚屬行業(yè)的弱項(xiàng)，故建議先易后難地開發(fā)研制，如：先開發(fā)配網(wǎng)用智能斷路器，再研發(fā)配網(wǎng)智能化用開關(guān)柜，智能電網(wǎng)GIS、GCB及其他智能組件等，重點(diǎn)在開關(guān)一次設(shè)備和二次控制的整體融合與接口技術(shù)的研發(fā)。

全球半導(dǎo)體市場(chǎng)可望在2014年大發(fā)利市。新興市場(chǎng)對(duì)中低價(jià)智慧型手機(jī)需求持續(xù)升溫，除激勵(lì)相關(guān)晶片開發(fā)商加緊研發(fā)更高性價(jià)比的解決方案外，亦掀動(dòng)16/14奈米(nm)鰭式電晶體(FinFET)與三維(3D)快閃記憶體等新技術(shù)的投資熱潮，為明年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)挹注強(qiáng)勁成長(zhǎng)動(dòng)能。

應(yīng)用材料副總裁暨臺(tái)灣區(qū)總裁余定陸表示，單就出貨量而言，現(xiàn)今高價(jià)智慧型手機(jī)的成長(zhǎng)力道確實(shí)已不如中低價(jià)手機(jī)，促使手機(jī)品牌業(yè)者紛紛推出性價(jià)比更高的中低價(jià)產(chǎn)品，希冀藉此搶攻中國(guó)大陸、俄羅斯、東南亞與中南美等新興市場(chǎng)，進(jìn)而激勵(lì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)產(chǎn)值向上成長(zhǎng)。

余定陸進(jìn)一步指出，過去個(gè)人電腦盛行時(shí)，電腦銷售是以「戶」為單位，因此銷售成長(zhǎng)有限;現(xiàn)今智慧型手機(jī)銷售則是以「人」為單位，成長(zhǎng)力道自然相對(duì)更加強(qiáng)勁，并同時(shí)可創(chuàng)造出更多半導(dǎo)體生產(chǎn)、封裝與設(shè)計(jì)的需求。毫無疑問，智慧型手機(jī)目前正主導(dǎo)著全球半導(dǎo)體市場(chǎng)，特別是未來中低價(jià)智慧型手機(jī)更是引燃2014年半導(dǎo)體市場(chǎng)商機(jī)熾熱的新火種。

隨著中低價(jià)智慧型手機(jī)已成為手機(jī)品牌業(yè)者新的主戰(zhàn)場(chǎng)，各家業(yè)者須推出「高貴不貴」的新產(chǎn)品，才有機(jī)會(huì)在激烈的市場(chǎng)中脫穎而出，因此半導(dǎo)體晶圓代工、封裝業(yè)者也正戮力研發(fā)16/14奈米與3D快閃記憶體等技術(shù)，并進(jìn)一步提升半導(dǎo)體設(shè)備與材料效能，協(xié)助晶片商打造高效能的中低價(jià)智慧型手機(jī)方案。

事實(shí)上，行動(dòng)運(yùn)算時(shí)代與過去個(gè)人電腦時(shí)代最大的差異處，在于產(chǎn)品對(duì)耗電量的要求。以手機(jī)應(yīng)用處理器(AP)為例，其運(yùn)作大約需要2瓦(W)電力，且溫度須維持?jǐn)z氏35度以下，才適合讓消費(fèi)者握在手中;筆記型電腦的處理器運(yùn)算能力雖然是應(yīng)用處理器的四倍，但需要50瓦電力，運(yùn)作溫度則是80度，顯見半導(dǎo)體業(yè)者若要卡位行動(dòng)裝置商機(jī)，勢(shì)必得減少電晶體耗電量。

余定陸補(bǔ)充，新一代16/14奈米FinFET與3D快閃記憶體將是改善電晶體效能的最佳解決方案，并為半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)帶來更多商機(jī);其中，16/14奈米FinFET將可為設(shè)備產(chǎn)業(yè)增加25～35%市場(chǎng)規(guī)模，快閃記憶體也將因?yàn)橹瞥碳夹g(shù)從2D轉(zhuǎn)向3D而增加25～35%市場(chǎng)規(guī)模。